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KAIST

반도체기술 FinFET 발명에 대한 미국특허소송 KAIST IP vs Samsung Electronics 종결 -미국연방법원 2020. 2. 21. 선고 판결문 삼성전자의 약 2천4백억원 손해배상책임 인정 지난 주 금요일 2020. 2. 21. THE UNITED STATES DISTRICT COURT FOR THE EASTERN DISTRICT OF TEXAS, MARSHALL DIVISION에서 판결문(Judgment)가 나왔습니다. 미국법원에서 2020. 2. 13. 삼성전자의 반론 주장과 신청을 대부분 기각하고 특허권자 KAIST에게 일부 승소취지의 손해배상액 감축 결정(remittitur)하였고 원고 KAIST US에서 이를 받아들여 최종 판결에 이른 것입니다. 법원의 판결요지는 다음과 같습니다. 삼성전자의 특허침해를 인정하고 손해배상액으로 4천만불을 지급하라는 배심평결을 그대로 유지하지 않지만, 삼성전자는 배심평결로 인정한 손해액의 절반 정도인 $203,003,416(환산하면 240,213,94.. 더보기
직무발명의 해외 특허출원 권리 승계여부 쟁점 - FinFET 미국특허권의 소유권 Ownership 쟁점 KAIST IP vs Samsung Electronics 사건 관련 몇 가지 포인트 1. 특허권은 국가기관에 등록할 때 비로소 성립하는 창설적 권리입니다. 그 성질상 등록이 필요한 특허권의 성립이나 유·무효 또는 취소 등에 관한 것은 해당 국가의 법률에 근거한다는 속지주의 원칙에 따릅니다. 따라서 직무발명에 대한 각국의 특허출원, 등록 및 그 유효 여부는 해당 국가의 특허법에 따라 판단합니다. 2. 미국 특허법에서 발명자는 발명의 소유권을 갖는다는 발명자주의 원칙이 적용됩니다. 발명자가 사용자에게 그 소유권(title)을 양도해야만 그 승계인이 비로소 발명에 대한 ownership을 취득합니다. 미국인이 아닌 외국인이 미국이 아닌 다른 나라에서 완성한 발명을 미국 특허청에 출원하여 특허권을 획득하려는 경우 미국 특허법에 따라 발명자 또는 그 승계인만이 출원인이 될 수 있습니다. 3. 내.. 더보기
고의 특허침해 시 3배 징벌적 손해배상 법규정 및 미국법원의 징벌적 손해배상 판결의 국내집행 관련 실무적 포인트 1. 미국특허소송 KAIST IP vs Samsung Electronics 판결에서 고의침해(willful infringement) 인정과 징벌적 손해배상 판결 관련 예상 쟁점 미국법원 배심평결(jury verdict)에서는 삼성전자의 고의 특허침해를 인정하고 있습니다. 향후 미국법원에서 삼성전자에 대한 징벌적 손해배상 판결을 하는 경우 그 판결의 국내법상 효력을 간략하게 살펴보면 다음과 같습니다. 외국법원의 징벌적 손해배상 판결에 대한 우리나라 법원의 승인 및 집행판결: 대법원 2016. 1. 28. 선고 2015다207747 판결 미국법원 소송에서 패소하여 징벌적 손해배상 판결을 받았더라도 국내자산에 대해 강제집행을 하려면 우리나라 법원에서 승인 및 집행판결을 받아야 합니다. 민사소송법 제217조에 .. 더보기
반도체기술 FinFET 발명에 대한 미국특허소송 KAIST IP vs Samsung Electronics 사건의 최근 미국법원 결정내용 업데이트, 결정문 첨부 미국에서 장기간의 길고 험난한 특허소송과 IPR 등 특허심판을 거쳐 이제 종반에 도달하였습니다. 미국법원은 2020. 2. 13. 삼성전자의 반론 주장과 신청을 대부분 기각하고 특허권자 KAIST에게 일부 승소취지의 결정을 하였습니다. 그 핵심요지를 보면, 삼성전자의 특허침해를 인정하고 손해배상액으로 4천만불을 지급하라는 배심평결을 그대로 유지하지 않지만, 삼성전자는 배심평결로 인정한 손해액의 절반 정도인 $203,003,416(오늘 환율로 계산하면 240,213,942,152원, 약2천4백억원)을 손해배상액으로 지급하라는 감축결정(remittitur)을 하였고, KAIST에서 2020. 3. 16.까지 위 감축결정을 받아들일지 여부를 결정하라고 고지하였습니다. KAIST에서 위 감축결정을 승낙하면 미국.. 더보기